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成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
5 天之前 大尺寸碳化硅激光切片设备与技术. 所属领域. 新材料（第三代半导体材料加工设备） 项目介绍. 1. 痛点问题. SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车
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一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
6 天之前 半导体. 一文看懂碳化硅晶片加工及难点. 作者 gan, lanjie. 1月 20, 2022. 采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点
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行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
2023年2月26日 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围 碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基
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大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网
16 小时之前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割
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碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区
2024年2月2日 皮秒红外激光器是碳化硅晶圆隐形切割的常用光源，其近红外波长能更好地透过碳化硅并聚焦在材料内部形成改质区。 在隐形切割完成后，通常还需要使用机械式
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[Table Main]碳化硅 蓝宝石拓展顺利，加速布局设备 2021
2021年12月6日 晶盛机电在第三代半导体材料碳化硅领域的研究持续多年,已具备6英寸碳化硅的长晶技术和晶片加工工艺,已成功开发出碳化硅长晶炉、抛光机、外延等设备,打造设
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突破！南京大学推出碳化硅激光切片技术
2 天之前 目前，此类设备仅有日本能够提供，价格昂贵且对中国实行禁运。国内需求超过1000台，而南京大学研发的设备不仅可用于碳化硅晶锭切割和晶片减薄，还适用于氮化
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一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
6 天之前 碳化硅衬底制备过程主要存在以下难点：. 一、对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上；. 二、长晶速度慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶棒；. 三、晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料；. 四、切割 ...
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
2023年10月27日 公司6月7日公告，湖南三安与意法半导体将共同设立一家专门从事碳化硅外延、芯片生产的合资代工公司-三安意法半导体 ... 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm ，对比 ...
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详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。. 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割. 2.研磨. 研磨工艺是去除
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碳化硅芯片怎么制造？ - 知乎
2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下 ...
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技术碳化硅产业链条核心：外延技术 - 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。. 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。. 我国SiC外延材料研发工作开发于“
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多达数十家，SiC关键设备企业图谱 - 知乎
2024年2月18日 碳化硅的切磨抛既直接关系到衬底加工的效率和产品良率，又能间接降低国产厂商的生产成本，进而对碳化硅的市场推广产生积极影响。从技术路线上来说，国内外切磨抛环节的差距不大，但在设备的精度和稳定性上，国产设备仍需持续发力，以进一步提高市场
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碳化硅(SIC)晶片减薄工艺对表面损伤影响的详解； - 知乎专栏
2024年4月16日 SiC 磨削减薄工艺过程中，应结合晶片的片内厚度均匀性、片间厚度均匀性、表面粗糙度、损伤深度、材料 去除率等指标要求，参照加工参数对表面层划痕损伤和崩边的影响规律，合理选取适当的减薄参数。. 四、结论. SiC晶片的减薄工艺对于降低晶片表面损
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下一个隆基绿能？晶盛机电，业绩持续逆天的光伏设备龙头 ...
2023年2月4日 此外，也依托设备逐步向碳化硅晶体生长和碳化硅晶片加工 两个主要环节延伸，逐步完善产业布局。 现在公司已经可以有 4 英寸、6 英寸第一代、6 ...
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东莞森烁科技有限公司_东莞单晶硅片_广东单晶硅_氧化硅片 ...
东莞市森烁科技有限公司 东莞市森烁科技有限公司自2010年成立以来，专注于半导体单晶硅材料及其制品研发、生产和销售，公司拥有先进的具备自主知识产权的核心技术和工艺，配备优良的生产、检测设备和管理系统，为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试 ...
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出片率提升5%以上!高测股份新一代碳化硅切片机“破局”8英寸领域
2023年7月4日 该产品是一款使用金刚线切割半导体碳化硅晶锭的专用加工设备，可加工晶锭直径兼容6寸、8寸，最大加工长度300mm。. 具有料损小、加工质量好、切割效率高、稳定性好等特点。. 近年来，在下游需求带动下，碳化硅晶圆正在从6英寸开始向8英寸推进，更大
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碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
2019年9月5日 碳化硅外延材料加工设备 全部进口，将制约我国独立自主产业的发展壮大。 3 碳化硅功率器件 ... 目前碳化硅芯片的工艺不如硅成熟，主要为4英寸晶圆，材料的利用率不高，而Si芯片的晶圆早已经发展到12寸
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衍梓装备：业内首款改进工艺SiC栅氧制备设备_腾讯新闻
2023年12月8日 在SiC制造领域，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相沉淀MOCVD以及栅氧制备设备是SiC领域的三大核心设备。. 在团队全力攻关下，衍梓装备成功推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设备。. 碳化硅器件在极端工作条件下的可靠性对于保证系统的稳定运行
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碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 - RF技术社区
2024年2月2日 在当今的高科技领域，碳化硅作为一种性能优异的第三代半导体材料，正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。其独特的物理、化学和光学特性，使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。尤其在新能源汽车行业，随着预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对碳化硅芯片的需求量也将 ...
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大尺寸碳化硅激光切片设备与技术 - 艾邦半导体网
16 小时之前 4月 23, 2024. 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。. 不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。. 来源：南京大学官网. SiC不仅是关系国防安全的的
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中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 - 知乎
2023年5月8日 表1 露笑科技投产碳化硅计划表 安徽微芯 安徽微芯长江半导体材料有限公司是上海申和热磁电子有限公司的子公司。该公司SiC项目落户铜陵经济开发区，项目投资13.50亿人民币，占地100亩，新建厂房建筑使用面积3.2万平，包括碳化硅晶体生长车间、晶圆加工车间、研发中心、动力厂房、辅助用厂房等。
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碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...
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一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备 - 豆丁网
2024年1月5日 一种碳化硅晶片加工用腐蚀化设备.pdf 2024-01-05 上传 暂无简介 文档格式：.pdf 文档大小： 705.69K 文档页数： 10 页 顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度： 文档分类： 行业资料 ...
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为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ - 知乎
2023年8月19日 外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的过程，新单晶可以与衬底为同一材料，也可以是不同材料（同质外延或者是异质外延）。. 由于新生单晶层按衬底晶相延伸生长，从而被称之为外延层（厚度通常为几微米， 以硅
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